原標(biāo)題：西部數(shù)據(jù)宣布新技術(shù)，每片晶圓的儲(chǔ)存容量提高了40％ 來(lái)源：科技蟹

2月10日，西部數(shù)據(jù)公司正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出第五代3D NAND技術(shù)，并且將會(huì)在后續(xù)的產(chǎn)品中引用這項(xiàng)技術(shù)，相比較上代技術(shù)而言，這一代技術(shù)每片晶圓的儲(chǔ)存容量提高了40%。

基于512GB的BiCS5 TLC（第五代3D NAND技術(shù)）西部數(shù)據(jù)目前已經(jīng)成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品當(dāng)中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，而根據(jù)西部數(shù)據(jù)給到的官方消息來(lái)看，2020年下半年，BiCS5就可以大規(guī)模的量產(chǎn)，并且隨后西部數(shù)據(jù)也將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC硬盤(pán)產(chǎn)品。

而這一次西部數(shù)據(jù)之所以會(huì)在短時(shí)間內(nèi)著急研發(fā)新一代的3D NAND技術(shù)也是為了能夠快速占領(lǐng)市場(chǎng)份額，同時(shí)也希望能夠體現(xiàn)西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)方面的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，尤其是這一代技術(shù)相比較上一代96層的BiCS4而言，每片晶圓的儲(chǔ)存容量提升了40%，優(yōu)化了成本，同時(shí)也提高了性能輸出能力。